1チップあたりの集積度の向上にともない、リードフレームも多ピン化あるいはファインピッチ化されてきています。 ワイヤボンディングに際しては、前述のように超音波によって加振されているため、リ ードフレームのピンが狭小化されるに従い共振現象等でボンディング中のピンの振動が他のピンに悪影響を及ぼすというケースが増加してきており、ワイヤの断線や破断と いう不良発生要因として注目されています。 振動を抑制する方法としては、2種類の方法が考えられます。 ひとつは、加振源の振動量を小さくしたり、リードフレームの共振周波数を外した周波数で振動させる方法であり、もうひとつはリードフレーム側の構造変更や制振材料等を使用して振動が伝搬しないように制振する方法です。
しかしながらワイヤボンダの場合、ボンディングの際の振動は必要不可欠であるため、 振動量を小さくしたり周波数を変更することは事実上不可能です。よって、振動を抑制する方法としては、リードフレームを設計変更して振動の伝搬を抑える方向で検討する必要があります。 構造変更や制振材料の選択に際しては、対象となるリードフレームの材料や形態によって最適な方法が変化することが考えられ、振動テストを行いながら検討することが必要不可欠となります。
キャピラリの先端に形成されたワイヤ端のボールはキャピラリの下降に伴いチップ上に形成されたパッドと言うチップ上の接合面に押しつけられ接合します。次にキャピラリはワイヤを繰り出しながらリード上に移動し同様に接合します。その後キャピラリは上昇し、その際クランプが閉じることでワイヤーがカットされます。カットされたワイヤ端にトーチより高圧放電されることでワイヤ端が溶融し再度ボールが形成されます。 この時の IC パッドへのボンディングを第1ボンド、リードへのボンディングを第2ボンドといいます。 ワイヤボンディングの際のボンディングパラメーターには以下のものがあり、第1・第2 個別に設定できるようになっています。